发射机本体最佳可固定在任意位置。安装条件是保持过程法兰轴垂直。位置偏差将导致可校正的零移。电子外壳最多可旋转360°,固定螺钉可将其固定在任意角度位置。
远程密封法兰连接到符合ANSI/DIN标准的配合法兰。配合法兰应采用软垫片和安装螺栓、螺栓(螺栓、螺栓供用户选配)。
对于双远传密封法兰,毛细管组件和远传密封法兰应注意安装在环境温度相同的环境中。
毛细管的最小弯曲半径为75mm。严禁卷绕!
环境条件
| 环境温度 |
| 最低 | 附属充液 |
| 最大 | 85℃ |
| 带 LCD 和 FKM 密封 | -20~65℃ |
| 储存/运输温度 |
| 最低 | 附属充液 |
| 最大 | 85℃ |
| 相对湿度 | 0~100% |
| 抗冲击性 |
| 加速 | 50克 |
| 持续时间 | 11毫秒 |
| 抗振性 | 2克高达500赫兹 |
| 兼容性(EMC) | 请参见下一页的表 4“EMC 附录” |
工艺介质极限温度极限
介质温度:-30~400℃
| 表3 充液、工作温度与最小工作压力的关系 | |
| 充液 | 硅油(S) | 高温硅油(H) | 超高温硅油(U) | 植物油(五) |
| 密度@25℃ | 960公斤/立方米 | 980公斤/立方米 | 1020公斤/立方米 | 937公斤/立方米 |
| 工作温度范围 | -30~200℃ | -10~350℃ | -10~400℃ | 0~250℃ |
| 温度 | 工作压力范围(kPa绝对压力) | |
| 20℃ | >10 | >10 | >10 | >25 |
| 100℃ | >25 | >25 | >25 | >50 |
| 150℃ | >50 | >50 | >50 | >75 |
| 200℃ | >75 | >75 | >75 | >100 |
| 250℃ | | >100 | >100 | >100 |
| 350℃ | | >100 | >100 | |
| 400℃ | | | >100 | |
注:凡超出上述温度、压力范围的数值应特别注意;这些可以通过
特殊设计。
| 项目 | 描述 |
| 本体压力限制 | 从3.5 kPa绝对压力到额定压力。保护压力可大于额定压力的1.5倍,同时施加于股市地下水位。 |
| 远程法兰额定压力 | ANSI标准:150psi~600psi |
| DIN标准:PN 1.6MPa~PN 10MPa |
| 单向过载限制 | 低压侧为本体额定压力;高压侧为远程法兰的额定压力。可能会发生可计算的零基础。 |
| 重量 | 单面遥控: |
| DN 50/2":约7 ~ 10 kg |
| DN 80/3":约。8~11公斤 |
| DN 4":约9 ~ 12 kg |
| 迪拜照明: |
| DN 50/2":约。10~16.5公斤 |
| DN 80/3":约12 ~ 18 kg |
| DN 4":约。14~21公斤 |
| 防爆性能 | NEPSI隔爆证书:Ex dⅡC T6 |
| NEPSI本质安全证书:Ex iaⅡC T4 |
| 允许工作温度 | -40℃~65℃ |
功率和负载条件
电源电压为24V
R≤(Us-12V)/Imax kQ 2
其中Imax=23mA
最大供电电压:42VDC
最低供电电压:12VDC、15VDC(充电液晶显示)
数字通讯负载范围:250~600Q
| 项目 | 描述 |
| 材质 | |
| 测量囊 | 不锈钢316L |
| 存在 | 不锈钢316L、哈氏合金C、钽 |
| 过程法兰 | 不锈钢304 |
| 充液 | 硅油、高温硅油、超高温硅油、植物油 |
| 密封圈 | NBR(丁橡胶)、FKM(氟橡胶)、PTFE(聚四氟乙烯) |
| 发射机外壳 | 工件,表面喷涂 |
| 外壳鞋垫 | NBR(丁腈橡胶) |
| 铭牌 | 不锈钢304 |
| 电气连接 | M20×1.5电缆接头;适用于0.5 ~ 2.5 mm²导线的端子 |
| 过程连接 | 低压侧有 NPT 1/4 和 UNF 7/16" 内螺纹。高压侧的液位法兰符合 ANSI 或 DIN 标准。可直接安装;请参见第 42 页第 7 部分。 |
| 外壳防护等级 | IP67级 |
| 表4 电磁兼容性 |
| 不。 | 项目测试 | 基本标准 | 测试条件 | 性能水平 |
| 1 | 辐射干扰(外壳) | GB/T 9254-2008 表5 | 30MHz~1000MHz | 通行证 |
| 2 | 出席(东京电源端口) | GB/T 9254-2008 表1 | 0.15MHz~30MHz | 通行证 |
| 3 | 静电放电 (ESD) 抗扰度 | GB/T 17626.2-2006 | 4kV(接触式) | B |
| 8kV(空气) |
| 4 | RF电磁场抗扰度 | GB/T 17626.3-2006 | 10V/米(80MHz~1GHz) | A |
| 5 | 工频磁场抗扰度 | GB/T 17626.8-2006 | 30安/米 | A |
| 6 | 电快速瞬变/突发抗扰度 | GB/T 17626.4-2008 | 2kV(5/50ns,5kHz) | B |
| 7 | 浪涌抗扰度 | GB/T 17626.5-2008 | 1kV(线对线) | B |
| 2kV(线对地)(1.2us/50us) |
| 8 | RF场引起的抗议骚扰抗扰度 | GB/T 17626.6-2008 | 3V(150kHz~80MHz) | A |
注:(1)A性能等级描述:测试期间,性能在技术规范限制内正常。
(2)B性能等级描述:测试过程中,功能或性能暂时下降或消失,但能恢复;实际操作条件、自行和数据保持不变。