安装条件
不带毛细管的表压/绝压远程原创可直接通过远程法兰安装。位置偏差将导致可校正的零移。电子外壳最多可旋转360°,固定螺钉可将其固定在任何位置。
压/绝压远程法兰连接至符合ANSI/DIN标准的配合法兰。此类安装法兰应配备软垫片和安装螺栓、螺栓(螺栓、螺栓供用户选配)。
对于带毛细管的表压/绝压远传模型:如果远传密封组件安装在本体本体底部,则远传密封组件与本体本体之间的最大高度差应小于5 m。当工作压力低于100 kPa绝对压力时,表面本体安装在本体本体底部。
毛细管的最小弯曲半径为75mm。不允许卷绕!
环境条件
| 环境温度 |
| 最低 | 附属充液 |
| 最大 | 85℃ |
| 带 LCD 和 FKM 密封 | -20~65℃ |
| 储存/运输温度 |
| 最低 | 附属充液 |
| 最大 | 85℃ |
| 相对湿度 | 0~100% |
| 抗冲击性 |
| 加速 | 50克 |
| 持续时间 | 11毫秒 |
| 抗振性 | 2克高达500赫兹 |
| 兼容性(EMC) | 请参见下一页的表 4“EMC 附录” |
工艺介质极限温度极限
介质温度:-30~400℃
| 表3 充液、工作温度与最小工作压力的关系 | |
| 充液 | 硅油(S) | 高温硅油(H) | 超高温硅油(U) | 植物油(五) |
| 密度@25℃ | 960公斤/立方米 | 980公斤/立方米 | 1020公斤/立方米 | 937公斤/立方米 |
| 工作温度范围 | -30~200℃ | -10~350℃ | -10~400℃ | 0~250℃ |
| 温度 | 工作压力范围(kPa绝对压力) | |
| 20℃ | >10 | >10 | >10 | >25 |
| 100℃ | >25 | >25 | >25 | >50 |
| 150℃ | >50 | >50 | >50 | >75 |
| 200℃ | >75 | >75 | >75 | >100 |
| 250℃ | | >100 | >100 | >100 |
| 350℃ | | >100 | >100 | |
| 400℃ | | | >100 | |
注:凡超出上述温度、压力范围的数值应特别注意;这些可以通过
特殊设计。
| 项目 | 规格 |
| 本体压力限制 | 真空至最大压力 |
| 远程法兰额定压力 | 美标:150 psi ~ 600 psi |
| DIN:PN 1.6 MPa ~ PN 10 MPa |
| 重量 | DN 50/2":约7 ~ 10 kg |
| DN 80/3":约。8~11公斤 |
| DN 4":约9 ~ 12 kg |
| 防爆性能 | NEPSI隔爆型:Ex dⅡC T6 |
| NEPSI本质安全:Ex iaⅡC T4 |
| 允许工作温度 | -40℃~65℃ |
功率和负载条件
电源电压为24V
R≤(Us-12V)/Imax kQ 2
其中Imax=23mA
最大供电电压:42VDC
最低供电电压:12VDC、15VDC(充电液晶显示)
数字通讯负载范围:250~600Q
| 项目 | 规格 |
| 材质 | |
| 测量囊 | 不锈钢316L |
| 不适 | 不锈钢316L、哈氏合金C、钽 |
| 过程法兰 | 不锈钢304 |
| 充液 | 硅油、高温硅油、超高温硅油、植物油 |
| 发射机外壳 | 环氧树脂涂层铝合金 |
| 外壳鞋垫 | 丁腈橡胶 (NBR) |
| 铭牌 | 不锈钢304 |
| 电气连接 | M20×1.5电缆接头;适用于0.5 ~ 2.5 mm²导线的端子 |
| 过程连接 | 远程密封法兰符合 ANSI 或 DIN 标准。可直接安装;参考尺寸图 |
| 外壳防护等级 | IP67级 |
| 表 4 EMC 附件 |
| 不。 | 项目测试 | 基本标准 | 测试条件 | 性能水平 |
| 1 | 辐射发射(外壳) | GB/T 9254-2008 表5 | 30MHz~1000MHz | 通行证 |
| 2 | 东京发射(直流电源端口) | GB/T 9254-2008 表1 | 0.15MHz~30MHz | 通行证 |
| 3 | 静电放电 (ESD) 抗扰度 | GB/T 17626.2-2006 | 4kV(接触式)、8kV(空气式) | B |
| 4 | RF电磁场辐射抗扰度 | GB/T 17626.3-2006 | 10V/米(80MHz~1GHz) | A |
| 5 | 工频磁场抗扰度 | GB/T 17626.8-2006 | 30安/米 | A |
| 6 | 电快速瞬变脉冲群抗扰度 | GB/T 17626.4-2008 | 2kV(5/50ns,5kHz) | B |
| 7 | 浪涌抗扰度 | GB/T 17626.5-2008 | 1kV(线对线) | B |
| 2kV(线对地)(1.2us/50us) |
| 8 | 射频场引起的干扰抗扰度 | GB/T 17626.6-2008 | 3V(150KHz~80MHz) | A |
注意事项:
(1) 性能等级A:测试期间性能保持在技术规范的范围内。
(2) 性能等级B:测试过程中可能会出现功能/性能暂时下降或丢失,但装置可以自动恢复。实际运行状态和数据存储保持不变。